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高击穿电压的高电子迁移率晶体管 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  徐晓华;  倪海桥;  牛智川;  贺正宏;  王建林
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锁模光纤光栅外腔半导体激光器结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-09-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈少武;  徐庆扬
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混合集成的可调谐半导体激光器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-08-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  徐庆扬;  陈少武
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高铟组分镓砷/铟镓砷量子阱结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  牛智川;  徐晓华;  倪海桥;  徐应强;  韩勤;  吴荣汉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei ZF;  Xu SJ;  Duan RF;  Li Q;  Wang J;  Zeng YP;  Liu HC;  Xu, SJ, Univ Hong Kong, Dept Phys, CAS, Joint Lab New Mat, Pokfulam Rd, Hong Kong, Hong Kong, Peoples R China. 电子邮箱地址: sjxu@hkucc.hku.hk
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Han, Q;  Yang, XH;  Niu, ZC;  Ni, HQ;  Xu, YQ;  Zhang, SY;  Du, Y;  Peng, LH;  Zhao, H;  Tong, CZ;  Wu, RH;  Wang, QM;  Han, Q, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hanqin@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Niu, ZC;  Zhang, SY;  Ni, HQ;  Wu, DH;  Zhao, H;  Peng, HL;  Xu, YQ;  Li, SY;  He, ZH;  Ren, ZW;  Han, Q;  Yang, XH;  Du, Y;  Wu, RH;  Zhang, SY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattice & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhangshiyong@tsinghua.org.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gan Q;  Song G;  Xu Y;  Yang G;  Li Y;  Cao Q;  Ma W;  Gao J;  Chen L;  Gan, Q, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: gqq@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gan QQ;  Song GF;  Xu Y;  Gao JX;  Cao Q;  Pan XJ;  Zhong Y;  Yang GH;  Zhu XP;  Chen LH;  Gan, QQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: gqq@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(269Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1068/300  |  提交时间：2010/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao Q;  Zhang HZ;  Xu XY;  Wang Z;  Xu J;  Yu DP;  Li GH;  Su FH;  Yu, DP, Peking Univ, Sch Phys, Electron Microscopy Lab, Beijing 100871, Peoples R China. 电子邮箱地址: yudp@pku.edu.cn
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