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| Design of high brightness cubic-GaN LEDs grown on GaAs substrate 会议论文 JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY, 42, SEOUL, SOUTH KOREA, AUG 20-23, 2002 作者: Sun YP; Shen XM; Zhang ZH; Zhao DG ; Feng ZH; Fu Y; Zhang SN; Yang H; Sun YP Chinese Acad Sci State Key Lab Integrated Optoelect Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(172Kb)  |   收藏  |  浏览/下载:1397/260  |  提交时间:2010/11/15 Wafer Bunding Cubic Gan Light-emitting-diodes Field-effect Transistor Single-crystal Gan Microwave Performance Mirror Junction |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Zhang BS; Wu M; Shen XM; Chen J; Zhu JJ; Liu JP; Feng G; Zhao DG ; Wang YT; Yang H; Zhang BS,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Feng G; Zhu JJ; Shen XM; Zhang BS; Zhao DG ; Wang YT; Yang H; Liang JW; Feng G,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,Beijing 100083,Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Wang J; Zhao DG ; Sun YP; Duan LH; Wang YT; Zhang SM ; Yang H; Zhou SQ; Wu MF; Wang J,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,Beijing 100083,Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Sun YP; Shen XM; Zhang ZH; Zhao DG ; Feng ZH; Fu Y; Zhang SN; Yang H; Sun YP,Chinese Acad Sci,State Key Lab Integrated Optoelect,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Feng G; Shen XM; Zhu JJ; Zhang BS; Zhao DG ; Wang YT; Yang H; Liang JW; Feng G,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,Beijing 100083,Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Zhao DG ; Xu SJ; Xie MH; Tong SY; Yang H; Xu SJ,Univ Hong Kong,Dept Phys,Pokfulam Rd,Hong Kong,Hong Kong,Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 张泽洪; 孙元平; 赵德刚 ; 段俐宏; 王俊; 沈晓明; 冯淦; 冯志宏; 杨辉
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 王俊; 赵德刚 ; 刘宗顺; 冯淦; 朱建军 ; 沈晓民; 张宝顺; 杨辉
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 冯淦; 朱建军 ; 沈晓明; 张宝顺; 赵德刚 ; 王玉田 ; 杨辉; 梁骏吾
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