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| 沟槽型MOS势垒肖特基二极管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-12-11
发明人: 郑柳; 孙国胜; 张峰; 刘兴昉; 王雷; 赵万顺; 闫果果; 董林; 刘胜北; 刘斌; 田丽欣; 曾一平
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| 沟槽型MOS势垒肖特基二极管 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人: 郑柳; 孙国胜; 张峰; 刘兴昉; 王雷; 赵万顺; 闫果果; 董林; 刘胜北; 刘斌; 田丽欣; 曾一平
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| 在碳化硅半导体薄膜双注入区形成短沟道的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-18
发明人: 郑柳; 孙国胜; 刘兴昉; 张峰; 王雷; 赵万顺; 闫果果; 董林; 刘胜北; 刘斌; 曾一平
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| 碳化硅材料腐蚀炉 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-25
发明人: 董林; 孙国胜; 赵万顺; 王雷; 刘兴昉; 刘斌; 张峰; 闫果果; 郑柳; 刘胜北
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| 一种半导体薄膜生长装置及其生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-11-13
发明人: 刘兴昉; 刘斌; 郑柳; 董林; 刘胜北; 闫果果; 孙国胜; 曾一平
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| 一种半导体薄膜生长设备 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-04-09
发明人: 刘兴昉; 刘斌; 郑柳; 董林; 刘胜北; 闫果果; 孙国胜; 曾一平
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| 4H-SiC衬底上同质快速外延生长4H-SiC外延层的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-28
发明人: 刘斌; 孙国胜; 刘兴昉; 董林; 郑柳; 闫果果; 刘胜北; 张峰; 赵万顺; 王雷; 曾一平
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| 一种H2微刻蚀进行碳化硅离子激活的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 刘胜北; 何志; 刘斌; 刘兴昉; 杨香; 樊中朝; 王晓峰; 王晓东; 赵永梅; 杨富华; 孙国胜; 曾一平
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| 具有低特征导通电阻的SiC VDMOSFET结构及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 王进泽; 杨香; 颜伟; 刘胜北; 赵继聪; 何志; 王晓东; 杨富华
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| 一种碳化硅欧姆接触电极及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29
发明人: 刘胜北; 何志; 刘斌; 杨香; 刘兴昉; 张峰; 王雷; 田丽欣; 刘敏; 申占伟; 赵万顺; 樊中朝; 王晓峰; 王晓东; 赵永梅; 杨富华; 孙国胜; 曾一平
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