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| 无权访问的条目 学位论文
作者: 刘传威
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| 4H-SiC场效应晶体管的仿真设计与沟槽型MOSFET的研制 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者: 申占伟
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4h-sic 场效应晶体管 No退火 Umosfet 欧姆接触 槽角圆弧化 米勒电容 |
| Si基高迁移率InGaAs沟道MOSFET器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者: 孔祥挺
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Ingaas沟道 高迁移率 Mosfet Ge/si衬底 |
| 基于ART技术的硅基III-V族材料及器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 李士颜
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高深宽比限制技术 选区外延技术 Si基iii-v族异质外延 Si基高迁移率iii-v族mosfet 纳米激光器 |
| 无权访问的条目 学位论文
作者: 王小耶
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| 4H-SiC快速外延生长研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2015
作者: 刘斌
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4h-sic 碳化硅 快速外延生长 Fast Epitaxial Growth |
| 具有背势垒的GaN基HEMT研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2014
作者: 彭恩超
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氮化镓 异质结 高电子迁移率晶体管 二维电子气 背势垒 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Yang XG ; Yang T; Wang KF; Gu YX; Ji HM; Xu PF; Ni HQ; Niu ZC; Wang XD; Chen YL; Wang ZG; Yang, T, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. tyang@semi.ac.cn
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