|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式： |
| 用于早期急性心梗预警的延长栅型GaAs HEMT生物传感器在miRNA检测中的研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者: 赵晨峰
 Adobe PDF(4639Kb) |  收藏 | 浏览/下载：256/4 | 提交时间：2022/07/15 |
| 用于急性心肌梗死标志物检测的GaAs HEMT 生物传感器的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2018
作者: 罗佳明
Adobe PDF(3068Kb) | 收藏 | 浏览/下载：576/17 | 提交时间：2018/05/23
砷化镓高电子迁移率晶体管 生物传感器 心肌肌钙蛋白 微小核糖核酸 |
| Si基高迁移率InGaAs沟道MOSFET器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者: 孔祥挺
Adobe PDF(15211Kb) | 收藏 | 浏览/下载：603/39 | 提交时间：2017/06/05
Ingaas沟道 高迁移率 Mosfet Ge/si衬底 |
| 基于ART技术的硅基III-V族材料及器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 李士颜
Adobe PDF(15932Kb) | 收藏 | 浏览/下载：711/63 | 提交时间：2016/06/02
高深宽比限制技术 选区外延技术 Si基iii-v族异质外延 Si基高迁移率iii-v族mosfet 纳米激光器 |
| 用于重金属铅离子检测的HEMT基生物传感器 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 牛吉强
Adobe PDF(2787Kb) | 收藏 | 浏览/下载：532/24 | 提交时间：2016/06/03 |
| 无权访问的条目 学位论文
作者: 洪文婷
Adobe PDF(4143Kb) | 收藏 | 浏览/下载：351/11 | 提交时间：2015/06/02 |
| 锑化物异质结构的材料生长及性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2014
作者: 张雨溦
Adobe PDF(5041Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1217/62 | 提交时间：2014/11/18 |
| 硅基高迁移率InGaAs沟道的环栅MOSFET制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-09
发明人: 周旭亮; 于红艳; 李梦珂; 潘教青; 王圩
Adobe PDF(1141Kb) | 收藏 | 浏览/下载：600/53 | 提交时间：2014/12/25 |
