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| 硅基InGaAsInGaAsP多量子阱外延技术及硅基激光器的探索研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者: 杨文宇
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| 硅基III-V族多量子阱激光器的研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020
作者: 李亚节
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| 基于SOI衬底InGaAs/InP多量子阱结构纳米线研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者: 李稚博
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| Si基高迁移率InGaAs沟道MOSFET器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者: 孔祥挺
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Ingaas沟道 高迁移率 Mosfet Ge/si衬底 |
| 硅基混合集成高速直调激光器关键技术的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者: 戴兴
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| 基于ART技术的硅基III-V族材料及器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 李士颜
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高深宽比限制技术 选区外延技术 Si基iii-v族异质外延 Si基高迁移率iii-v族mosfet 纳米激光器 |
