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硅基III-V族多量子阱激光器的研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020
Authors:  李亚节
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基于SOI衬底InGaAs/InP多量子阱结构纳米线研究 学位论文
, 北京: 中国科学院闱地, 2017
Authors:  李稚博
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Si基高迁移率InGaAs沟道MOSFET器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
Authors:  孔祥挺
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Ingaas沟道  高迁移率  Mosfet  Ge/si衬底  
硅基混合集成高速直调激光器关键技术的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
Authors:  戴兴
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基于ART技术的硅基III-V族材料及器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
Authors:  李士颜
Adobe PDF(15932Kb)  |  Favorite  |  View/Download:448/63  |  Submit date:2016/06/02
高深宽比限制技术  选区外延技术  Si基iii-v族异质外延  Si基高迁移率iii-v族mosfet  纳米激光器