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| 基于国产SiC材料的MOSFET研制 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2024
作者: 钮应喜
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| 基于第一性原理计算的场效应晶体管可靠性研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2024
作者: 熊涛
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| 4H-SiC的外延生长及后处理工艺的研究 学位论文
工程硕士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者: 陈俊宏
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| 4H-SiC UMOSFETs 器件设计与关键工艺研发 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者: 郭志煜
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| 4H-SiC UMOSFETs 器件设计与关键工艺研发 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者: 郭志煜
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| 4H-SiC功率MOSFET研制 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020
作者: 倪炜江
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| 高压大功率碳化硅IGBT器件研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2019
作者: 温正欣
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| 4H-SiC UMOSFET关键工艺研发 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2019
作者: 刘敏
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| 4H-SiC场效应晶体管的仿真设计与沟槽型MOSFET的研制 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者: 申占伟
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4h-sic 场效应晶体管 No退火 Umosfet 欧姆接触 槽角圆弧化 米勒电容 |
| 4H -SiC 基 SiO 2和 Al 2O3栅介质层的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2016
作者: 田丽欣
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