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一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-26
发明人:  王建霞;  李志伟;  赵桂娟;  桑玲;  刘长波;  魏鸿源;  焦春美;  杨少延;  刘祥林;  朱勤生;  王占国
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一种生长富In组分非极性A面InGaN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12
发明人:  赵桂娟;  李志伟;  桑玲;  刘贵鹏;  刘长波;  谷承艳;  魏鸿源;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
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制备非极性A面GaN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12
发明人:  赵桂娟;  李志伟;  桑玲;  魏鸿源;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
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一种碳化硅欧姆接触电极及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29
发明人:  刘胜北;  何志;  刘斌;  杨香;  刘兴昉;  张峰;  王雷;  田丽欣;  刘敏;  申占伟;  赵万顺;  樊中朝;  王晓峰;  王晓东;  赵永梅;  杨富华;  孙国胜;  曾一平
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用于碳化硅生长的高温装置及方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:  刘兴昉;  刘斌;  闫果果;  刘胜北;  田丽欣;  申占伟;  王雷;  赵万顺;  张峰;  孙国胜;  曾一平
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SiC基HEMT器件的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
发明人:  申占伟;  张峰;  赵万顺;  王雷;  闫果果;  刘兴昉;  孙国胜;  曾一平
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在SiC材料中获取二维电子气的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
发明人:  申占伟;  张峰;  赵万顺;  王雷;  闫果果;  刘兴昉;  孙国胜;  曾一平
Adobe PDF(522Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：737/1  |  提交时间：2016/09/22