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| 光学复合膜作电极的GaN功率型LED的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 李晋闽; 王晓东; 王国宏; 王良臣; 杨富华
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| 一种硅纳米线阵列结构硅薄膜太阳电池及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014
发明人: 杨萍; 曾湘波; 谢小兵; 张晓东; 李浩; 王占国
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| 基于寄生电容调节的高精度温度补偿MEMS振荡器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-18
发明人: 司朝伟; 韩国威; 宁瑾; 刘晓东
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| 采用窄脉冲激励MEMS谐振器的振荡器电路 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-18
发明人: 司朝伟; 韩国威; 宁瑾; 刘晓东
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| 一种H2微刻蚀进行碳化硅离子激活的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 刘胜北; 何志; 刘斌; 刘兴昉; 杨香; 樊中朝; 王晓峰; 王晓东; 赵永梅; 杨富华; 孙国胜; 曾一平
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| 一种制备图形化多孔硅结构的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-19
发明人: 赵永梅; 杨香; 季安; 张明亮; 韩国威; 宁瑾; 王晓东; 杨富华
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| 一种碳化硅欧姆接触电极及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29
发明人: 刘胜北; 何志; 刘斌; 杨香; 刘兴昉; 张峰; 王雷; 田丽欣; 刘敏; 申占伟; 赵万顺; 樊中朝; 王晓峰; 王晓东; 赵永梅; 杨富华; 孙国胜; 曾一平
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| 一种去除碳化硅等离子体刻蚀形成的刻蚀损伤层的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人: 刘胜北; 何志; 刘斌; 刘兴昉; 杨香; 樊中朝; 王晓峰; 王晓东; 赵永梅; 杨富华; 孙国胜; 曾一平
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| 在衬底上制备多级台阶的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 杨健; 司朝伟; 韩国威; 宁瑾; 赵永梅; 梁秀琴; 王晓东; 杨富华
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