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射频磁控溅射纳米二氧化钒薄膜的电致相变特性 期刊论文
纳米技术与精密工程, 2012, 卷号: 10, 期号: 2, 页码: 160-164
Authors:  梁继然,胡明,阚强,后顺保,梁秀琴,陈弘达
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晶粒尺寸对氧化钒薄膜电学与光学相变特性的影响 期刊论文
材料工程, 2011, 卷号: xx(4), 页码: 58-62
Authors:  梁继然;  胡明;  阚强;  陈涛;  梁秀琴;  陈弘达
Adobe PDF(531Kb)  |  Favorite  |  View/Download:676/184  |  Submit date:2012/07/17
射频磁控溅射功率对氧化钒薄膜相变特性的影响 期刊论文
天津大学学报, 2011, 卷号: 44, 期号: 10, 页码: 847-851
Authors:  梁继然;  胡明;  梁秀琴;  阚强;  陈涛;  陈弘达
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N型6H-SiCMOS电容的电学特性 期刊论文
半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 6, 页码: 755-759
Authors:  王姝睿;  刘忠立;  梁桂荣;  梁秀芹;  马红芝
Adobe PDF(212Kb)  |  Favorite  |  View/Download:1077/409  |  Submit date:2010/11/23
硅表面清洗对7nm热SiO_2栅介质可靠性的影响 期刊论文
半导体学报, 1999, 卷号: 20, 期号: 10, 页码: 930
Authors:  高文钰;  刘忠立;  和致经;  张永刚;  梁秀琴;  梁桂荣
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硼扩散引起薄SiO_2栅介质的性能退化 期刊论文
电子学报, 1999, 卷号: 27, 期号: 8, 页码: 144
Authors:  高文钰;  刘忠立;  梁秀琴;  于芳;  聂纪平;  李国花
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通用的多种材料间全限制量子点的自对准制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-01
Inventors:  付英春;  王晓峰;  张加勇;  白云霞;  梁秀琴;  马慧莉;  季安;  杨富华
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通用的多种材料间全限制纳米线的自对准制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-25
Inventors:  付英春;  王晓峰;  张加勇;  白云霞;  梁秀琴;  马慧莉;  季安;  杨富华
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利用相对易腐蚀的金属制备另一种金属图形的剥离方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
Inventors:  杨健;  司朝伟;  韩国威;  宁瑾;  赵永梅;  梁秀琴
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在衬底上制备多级台阶的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
Inventors:  杨健;  司朝伟;  韩国威;  宁瑾;  赵永梅;  梁秀琴;  王晓东;  杨富华
Adobe PDF(305Kb)  |  Favorite  |  View/Download:239/1  |  Submit date:2016/08/30