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| 在硅衬底上生长的氮化镓薄膜结构及其生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-08-26, 公开日期: 4005
发明人: 王晓亮; 罗卫军; 郭伦春; 肖红领; 李建平; 李晋闽
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| 氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-04-01, 公开日期: 3990
发明人: 王晓亮; 唐 健; 肖红领; 王翠梅; 冉学军; 胡国新; 李晋敏
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| 倒装双结铟镓氮太阳能电池结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 杨翠柏; 肖红领; 胡国新; 冉学军; 王翠梅; 张小宾; 李晋闽
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Peng, YS (Peng, Yin-Sheng); Xu, B (Xu, Bo); Ye, XL (Ye, Xiao-Ling); Niu, JB (Niu, Jie-Bin); Jia, R (Jia, Rui); Wang, ZG (Wang, Zhan-Guo); Peng, YS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: cynthia@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhang B ; Lu YW; Song HP; Liu XL; Yang SY; Zhu QS; Wang ZG; Zhang, B, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: zhangbiao@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Gai YQ; Li JB; Hou QF; Wang XL; Xiao HL; Wang CM; Li JM; Li JB Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: jbli@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Song HP; Yang AL; Zhang RQ; Guo Y; Wei HY; Zheng GL; Yang SY; Liu XL; Zhu QS; Wang ZG; Song HP Chinese Acad Sci Kev Lab Semicond Mat Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: songhp@semi.ac.cn; xlliu@semi.ac.cn; qszhu@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Song HP; Yang AL; Wei HY; Guo Y; Zhang B; Zheng GL; Yang SY; Liu XL; Zhu QS; Wang ZG; Yang TY; Wang HH; Song HP Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: songhp@semi.ac.cn; xlliu@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Tang CG; Chen YH; Xu B; Ye XL; Wang ZG; Chen YH Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: yhchen@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wang Y; Chen NF; Zhang XW; Chen XF; Yang XL; Yin ZG; Bai YM; Wang Y Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: ywang@semi.ac.cn; nfchen@semi.ac.cn
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