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| 在硅衬底上生长的氮化镓薄膜结构及其生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-08-26, 公开日期: 4005
发明人: 王晓亮; 罗卫军; 郭伦春; 肖红领; 李建平; 李晋闽
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| 氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 马志勇; 冉学军; 肖红领; 王翠梅; 胡国新; 唐健; 罗卫军
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| 氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 马志勇; 王晓亮; 冉军学; 胡国新; 肖红领; 王翠梅; 罗卫军
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| 宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 马志勇; 胡国新; 肖红领; 冉军学; 王翠梅; 罗卫军
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| 一种晶锭与热解氮化硼坩埚脱离方法及设备 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 高永亮; 惠峰; 王文军
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| 一种热解氮化硼坩埚表层镀膜方法及装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 高永亮; 惠峰; 王文军
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| 直径六英寸半绝缘砷化镓单晶生长技术 成果
2007
主要完成人: 李晋闽; 曾一平; 惠峰; 卜俊鹏; 王文军; 郑红军; 孙红方
收藏 | 浏览/下载：2093/0 | 提交时间：2010/04/13
六英寸半绝缘砷化镓单晶 |
| III-V-N 半导体材料光学性质的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2007
作者: 王文杰
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 许颖; 刁宏伟; 张世斌; 励旭东; 曾湘波; 王文静; 廖显伯
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| 利用缓冲层在硅衬底上生长氧化锌薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 沈文娟; 曾一平; 王启元; 王俊
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