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非掺杂LEC砷化镓晶体中砷沉淀和位错关联性质 期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 9, 页码: 1779-1782
Authors:  朱蓉辉;  曾一平;  卜俊鹏;  惠峰;  郑红军;  赵冀;  高永亮
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半导体晶片精密化学机械抛光剂 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-10-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  朱蓉辉;  惠峰;  卜俊鹏;  郑红军;  赵冀
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双面抛光机 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  朱蓉辉;  赵冀;  惠峰;  卜俊鹏;  郑红军
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可以修整抛光晶片平整度的抛光头 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  朱蓉辉;  惠峰;  卜俊峰;  郑红军;  赵冀
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扩散型兆声波清洗槽 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  朱蓉辉;  惠峰;  卜俊鹏;  郑红军;  赵冀
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精密多线切割和研磨用切磨粉体材料 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  朱蓉辉;  惠峰;  卜俊鹏;  郑红军
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一种精密抛光晶片用有机物清洗液 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  朱蓉辉;  惠峰;  卜俊鹏;  郑红军
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直径六英寸半绝缘砷化镓单晶生长技术 成果
2007
Accomplishers:  李晋闽;  曾一平;  惠峰;  卜俊鹏;  王文军;  郑红军;  孙红方
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六英寸半绝缘砷化镓单晶  
一种片状材料厚度测量装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  朱蓉辉;  惠峰;  卜俊鹏;  郑红军
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一种晶片工艺卡具 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  朱蓉辉;  惠峰;  卜俊鹏;  郑红军
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