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Defect Cluster-Induced X-Ray Diffuse Scattering in GaN Films Grown by MOCVD 期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 7, 页码: 1242-1245
Authors:  Ma Zhifang;  Wang Yutian;  Jiang Desheng;  Zhao Degang;  Zhang Shuming;  Zhu Jianjun;  Liu Zongshun;  Sun Baojuan;  Duan Ruifei;  Yang Hui;  Liang Junwu
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Twinning in Low-Temperature MOCVD Grown GaN on (001) GaAs Substrate 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 4, 页码: 645-650
Authors:  Shen Xiaoming;  Wang Yutian;  Wang Jianfeng;  Liu Jianping;  Zhang Jicai;  Guo Liping;  Jia Quanjie;  Jiang Xiaoming;  Hu Zhengfei;  Yang Hui;  Liang Junwu
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GaN外延膜厚度的x射线双晶衍射测量 期刊论文
中国科学. G辑,物理, 2003, 卷号: 33, 期号: 2, 页码: 122-125
Authors:  冯淦;  朱建军;  沈晓明;  张宝顺;  赵德刚;  王玉田;  杨辉;  梁骏吾
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GaN横向外延中晶面倾斜的形成机制 期刊论文
中国科学. A辑,数学, 2002, 卷号: 32, 期号: 8, 页码: 737-742
Authors:  冯淦;  郑新和;  朱建军;  沈晓明;  张宝顺;  赵德刚;  孙元平;  张泽洪;  王玉田;  杨辉;  梁骏吾
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横向外延GaN结晶质量的同步辐射研究 期刊论文
核技术, 2002, 卷号: 25, 期号: 10, 页码: 770-774
Authors:  冯淦;  郑新和;  王玉田;  杨辉;  梁骏吾;  郑文莉;  贾全杰
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使用 X射线衍射技术判定 Si C单晶体的结构和极性(英文) 期刊论文
半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 1, 页码: 35
Authors:  郑新和;  渠波;  王玉田;  杨辉;  梁骏吾
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立方相GaN/GaAs(001)外延层中六角相的分布特征 期刊论文
中国科学. E辑,技术科学, 2001, 卷号: 31, 期号: 3, 页码: 217
Authors:  渠波;  郑新和;  王玉田;  韩景仪;  徐大鹏;  林世鸣;  杨辉;  梁骏吾
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计入衍射几何因子和多重性因子的立方GaN相含量的测定 期刊论文
中国科学. A辑,数学, 2001, 卷号: 31, 期号: 2, 页码: 146
Authors:  渠波;  郑新和;  王玉田;  冯志宏;  韩景仪;  刘世安;  林世鸣;  杨辉;  梁骏吾
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立方相GaN外延层的表面起伏和高密度孪晶与六角相 期刊论文
中国科学. A辑, 数学, 2001, 卷号: 31, 期号: 6, 页码: 562
Authors:  渠波;  李顺峰;  胡国新;  郑新和;  王玉田;  林世鸣;  杨辉;  梁骏吾
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Si(001)衬底上APCVD生长3C-SiC薄膜的微孪晶及含量 期刊论文
中国科学. A辑,数学, 2001, 卷号: 31, 期号: 3, 页码: 242
Authors:  郑新和;  渠波;  王玉田;  戴自忠;  杨辉;  梁骏吾
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