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浏览/检索结果: 共17条，第1-10条 帮助

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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Kong, L.;  Wang, H. L.;  Bajek, D.;  White, S. E.;  Forrest, A. F.;  Wang, X. L.;  Cui, B. F.;  Pan, J. Q.;  Ding, Y.;  Cataluna, M. A.
Adobe PDF(911Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：432/104  |  提交时间：2015/03/19
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, YW;  Zhang, Y;  Guan, M;  Cui, LJ;  Li, YB;  Wang, BQ;  Zhu, ZP;  Zeng, YP
Adobe PDF(2396Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：372/58  |  提交时间：2015/03/25
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ding, K;  Wang, CY;  Zhang, BT;  Zhang, Y;  Guan, M;  Cui, LJ;  Zhang, YW;  Zeng, YP;  Lin, Z;  Huang, F
Adobe PDF(816Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：444/82  |  提交时间：2015/04/02
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang H, Mi J, Zhou X, Meriggi L, Steer M, Cui B, Chen W, Pan J, Ding Y.
Adobe PDF(854Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：817/203  |  提交时间：2014/03/18
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cui M;  Zhou TF;  Wang MR;  Huang J;  Huang HJ;  Zhang JP;  Xu K;  Yang H;  Cui, M (reprint author), Chinese Acad Sci, Suzhou Inst Nanotech & Nanobion, Suzhou 215123, Peoples R China, tfzhou2007@sinano.ac.cn;  kxu2006@sinano.ac.cn
Adobe PDF(188Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1586/438  |  提交时间：2012/02/06
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang QM;  Zhao J;  Guan M;  Liu C;  Cui LJ;  Han DJ;  Zeng YP;  Zeng, YP (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. ypzeng@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(945Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1046/134  |  提交时间：2011/09/14
无权访问的条目 期刊论文
作者:  You JB (You J. B.);  Zhang XW (Zhang X. W.);  Zhang SG (Zhang S. G.);  Wang JX (Wang J. X.);  Yin ZG (Yin Z. G.);  Tan HR (Tan H. R.);  Zhang WJ (Zhang W. J.);  Chu PK (Chu P. K.);  Cui B (Cui B.);  Wowchak AM (Wowchak A. M.);  Dabiran AM (Dabiran A. M.);  Chow PP (Chow P. P.);  Zhang, XW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xwzhang@semi.ac.cn;  paul.chu@cityu.edu.hk
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基于GaN基异质结构的二极管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-02
发明人:  康贺;  王晓亮;  肖红领;  王翠梅;  冯春;  姜丽娟;  殷海波;  崔磊
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具有复合空间层的氮化镓场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-22
发明人:  王翠梅;  王晓亮;  彭恩超;  肖红领;  冯春;  姜丽娟;  陈竑
Adobe PDF(582Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：643/80  |  提交时间：2014/12/25
双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作 方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-26
发明人:  王晓亮;  王翠梅;  肖红领;  彭恩超;  冯春;  姜丽娟;  陈竑
Adobe PDF(568Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：690/98  |  提交时间：2014/10/31