|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式： |
| 一种直调式InP基单片集成少模光通信发射器芯片 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 张莉萌; 陆丹; 赵玲娟; 余力强; 潘碧玮; 王圩
 Adobe PDF(1606Kb) |  收藏 | 浏览/下载：494/7 | 提交时间：2016/08/30 |
| 基于多模干涉器结构的外调制型少模光通信发射芯片 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人: 张莉萌; 陆丹; 赵玲娟; 余力强; 潘碧玮; 王圩
Adobe PDF(739Kb) | 收藏 | 浏览/下载：506/3 | 提交时间：2016/09/12 |
| 基于GaN基异质结构的二极管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-02
发明人: 康贺; 王晓亮; 肖红领; 王翠梅; 冯春; 姜丽娟; 殷海波; 崔磊
Adobe PDF(566Kb) | 收藏 | 浏览/下载：738/108 | 提交时间：2014/11/24 |
| 制备非极性面或半极性面单晶半导体自支撑衬底的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-30
发明人: 张恒; 魏鸿源; 杨少延; 赵桂娟; 金东东; 王建霞; 李辉杰; 刘祥林; 王占国
Adobe PDF(582Kb) | 收藏 | 浏览/下载：892/103 | 提交时间：2014/12/25 |
| 一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-26
发明人: 王建霞; 李志伟; 赵桂娟; 桑玲; 刘长波; 魏鸿源; 焦春美; 杨少延; 刘祥林; 朱勤生; 王占国
Adobe PDF(391Kb) | 收藏 | 浏览/下载：905/98 | 提交时间：2014/10/29 |
| 一种生长富In组分非极性A面InGaN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12
发明人: 赵桂娟; 李志伟; 桑玲; 刘贵鹏; 刘长波; 谷承艳; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
Adobe PDF(822Kb) | 收藏 | 浏览/下载：856/85 | 提交时间：2014/10/29 |
| 具有复合空间层的氮化镓场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-22
发明人: 王翠梅; 王晓亮; 彭恩超; 肖红领; 冯春; 姜丽娟; 陈竑
Adobe PDF(582Kb) | 收藏 | 浏览/下载：651/80 | 提交时间：2014/12/25 |
| 一种分布布拉格反馈可调谐激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-01-22
发明人: 梁松; 张灿; 于立强; 赵玲娟; 朱洪亮; 吉晨; 王圩
Adobe PDF(383Kb) | 收藏 | 浏览/下载：609/88 | 提交时间：2014/11/05 |
| 可实现模式间距为100GHz的双模激射半导体激光器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-19
发明人: 余力强; 赵玲娟; 朱洪亮; 吉晨; 陆丹; 潘教青; 王圩
Adobe PDF(558Kb) | 收藏 | 浏览/下载：781/104 | 提交时间：2014/10/28 |
| 制备非极性A面GaN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12
发明人: 赵桂娟; 李志伟; 桑玲; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
Adobe PDF(934Kb) | 收藏 | 浏览/下载：626/97 | 提交时间：2014/10/31 |
