中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共20条，第1-10条 帮助

限定条件        
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘喆;  王军喜;  钟兴儒;  李晋闽;  曾一平;  段瑞飞;  马平;  魏同波;  林郭强
Adobe PDF(457Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1560/189  |  提交时间：2009/06/11
一种新型键合用晶向对准装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2006-11-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈良惠;  郑婉华;  杨国华;  何国荣;  王玉平;  曹青;  郭良;  林学春
Adobe PDF(350Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1385/184  |  提交时间：2009/06/11
光放大器电吸收调制器和模斑转换器的单片集成的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  侯廉平;  王圩;  朱洪亮;  周帆
Adobe PDF(1093Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1156/153  |  提交时间：2009/06/11
一种利用激光对准晶片晶向的方法及装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈良惠;  郑婉华;  杨国华;  何国荣;  王玉平;  曹青;  郭良;  林学春
Adobe PDF(425Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1156/182  |  提交时间：2009/06/11
利用缓冲层在硅衬底上生长氧化锌薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  沈文娟;  曾一平;  王启元;  王俊
Adobe PDF(322Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1094/180  |  提交时间：2009/06/11
利用氧化锌缓冲层生长单晶氧化锌薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  沈文娟;  曾一平;  王俊
Adobe PDF(384Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：909/166  |  提交时间：2009/06/11
一种用于氮化物半导体材料退火的新型加热衬托 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2006-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  冉军学;  李建平;  胡国新;  王军喜;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(335Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1237/193  |  提交时间：2009/06/11
聚光太阳电池的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈诺夫;  白一鸣;  王晓晖;  梁平;  陆大成
Adobe PDF(354Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1257/201  |  提交时间：2009/06/11
改善氮化镓基高电子迁移率晶体管栅极肖特基性能的结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  王翠梅;  胡国新;  王军喜;  李建平;  曾一平
Adobe PDF(627Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1191/179  |  提交时间：2009/06/11
激光器-电吸收调制器-模斑转换器单片集成的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  侯廉平;  王圩;  朱洪亮;  周帆;  王鲁峰;  边静
Adobe PDF(1106Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1337/210  |  提交时间：2009/06/11