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| 一种氮化镓基发光二极管的外延粗化方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102214739A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 李志聪; 姚然; 王兵; 梁萌; 李璟; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(992Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1883/302  |  提交时间:2012/09/09 |
| 一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102214740A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 李志聪; 姚然; 王兵; 梁萌; 李鸿渐; 李盼盼; 李璟; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(1092Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1581/306  |  提交时间:2012/09/09 |
| 减少激光剥离损伤的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910087351.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31 发明人: 段瑞飞; 王良臣; 刘志强; 季安; 王国宏; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(259Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1267/138  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种用于LED的晶圆级封装的芯片转移方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-19 发明人: 梁萌; 杨华; 刘志强; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(484Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:570/75  |  提交时间:2014/11/05 |
| 一种氮化镓基外延膜的选区激光剥离方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-04-02 发明人: 梁萌; 杨华; 刘志强; 郭恩卿; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(631Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:538/77  |  提交时间:2014/10/31 |
| 用于金属有机气相沉积设备的进气喷头 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04 发明人: 冉军学; 胡强; 梁勇; 胡国新; 王军喜; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(1437Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:665/42  |  提交时间:2014/10/31 |
| 利用双成核层生长高质量氮化镓外延结构的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04 发明人: 梁萌; 李鸿渐; 姚然; 李志聪; 李盼盼; 王兵; 李璟; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(458Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:701/100  |  提交时间:2014/10/31 |
| 在图形衬底上生长氮化镓外延结构的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04 发明人: 梁萌; 李鸿渐; 姚然; 李志聪; 李盼盼; 王兵; 李璟; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(393Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:753/115  |  提交时间:2014/10/31 |
| 氮化物LED外延结构的生长方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11 发明人: 梁萌; 李鸿渐; 姚然; 李志聪; 李盼盼; 王兵; 李璟; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(290Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:692/114  |  提交时间:2014/10/31 |
| 一种无间断生长高质量InGaN/GaN多量子阱的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-15 发明人: 李盼盼; 李鸿渐; 张逸韵; 李志聪; 梁萌; 李璟; 王国宏 Adobe PDF(565Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:585/75  |  提交时间:2014/10/29 |