| 减少激光剥离损伤的方法; 减少激光剥离损伤的方法 |
| 段瑞飞; 王良臣; 刘志强; 季安; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
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专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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公开日期 | 2011-08-31
; 2011-08-31
; 2011-08-31
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授权国家 | 中国
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专利类型 | 发明
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摘要 | 一种减少激光剥离损伤的方法,包括如下步骤:步骤1:将外延片置于一底板上;步骤2:将底板加热,该底板加热,是电阻加热、射频加热或外部光源加热,该底板加热的温度范围在100-600℃;步骤3:利用激光剥离设备的激光扫描,对外延片进行剥离,该外延片种类包括:光电子外延材料、微电子外延材料或厚膜外延材料。 |
部门归属 | 中科院半导体照明研发中心
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专利号 | CN200910087351.X
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语种 | 中文
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专利状态 | 公开
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申请号 | CN200910087351.X
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专利代理人 | 汤保平
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文献类型 | 专利
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条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22167
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专题 | 中科院半导体照明研发中心
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推荐引用方式 GB/T 7714 |
段瑞飞,王良臣,刘志强,等. 减少激光剥离损伤的方法, 减少激光剥离损伤的方法. CN200910087351.X.
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