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磷化铟单晶片的抛光工艺 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  董宏伟;  赵有文;  杨子祥;  焦景华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Dong ZY;  Zhao YW;  Zeng YP;  Duan ML;  Sun WR;  Jiao JH;  Lin LY;  Dong ZY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Dong HW;  Zhao YW;  Zeng YP;  Jiao JH;  Li JM;  Lin LY;  Dong HW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Dong HW;  Zhao YW;  Jiao JH;  Zeng YP;  Li JM;  Lin LY;  Dong HW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  赵有文;  段满龙;  孙文荣;  杨子祥;  焦景华;  赵建群;  曹慧梅;  吕旭如
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Characterization of defects and whole wafer uniformity of annealed undoped semi-insulating InP wafers 会议论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 91, RIMINI, ITALY, SEP 24-28, 2001
作者:  Zhao YW;  Sun NF;  Dong HW;  Jiao JH;  Zhao JQ;  Sun TN;  Lin LY;  Sun NF Hebei Semicond Res Inst POB 179-40 Shijiazhuang 050002 Hebei Peoples R China.
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Indium Phosphide  Semi-insulating  Annealing  Picts  Photoluminescence  Semiinsulating Inp  Indium-phosphide  Fe  Photoluminescence  Temperature  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Dong HW;  Zhao YW;  Lu HP;  Jiao JH;  Zhao JQ;  Lin LY;  Dong HW,Chinese Acad Sci,Ctr Mat Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Dong HW;  Zhao YW;  Zhang YH;  Jiao JH;  Zhao JQ;  Lin LY;  Dong HW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao YW;  Sun NF;  Dong HW;  Jiao JH;  Zhao JQ;  Sun TN;  Lin LY;  Sun NF,Hebei Semicond Res Inst,POB 179-40,Shijiazhuang 050002,Hebei,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao YW;  Dong HW;  Jiao JH;  Zhao JQ;  Lin LY;  Zhao YW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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