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Characterization of defects and whole wafer uniformity of annealed undoped semi-insulating InP wafers 会议论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 91, RIMINI, ITALY, SEP 24-28, 2001
作者:  Zhao YW;  Sun NF;  Dong HW;  Jiao JH;  Zhao JQ;  Sun TN;  Lin LY;  Sun NF Hebei Semicond Res Inst POB 179-40 Shijiazhuang 050002 Hebei Peoples R China.
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Indium Phosphide  Semi-insulating  Annealing  Picts  Photoluminescence  Semiinsulating Inp  Indium-phosphide  Fe  Photoluminescence  Temperature  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao YW;  Sun NF;  Dong HW;  Jiao JH;  Zhao JQ;  Sun TN;  Lin LY;  Sun NF,Hebei Semicond Res Inst,POB 179-40,Shijiazhuang 050002,Hebei,Peoples R China.
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