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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Guo TT (Guo Ting-ting);  Wang SJ (Wang Shou-jue);  Wang HW (Wang Hong-wu);  Hu HX (Hu Hai-xiao);  An D (An Dong);  Wu WJ (Wu Wen-jin);  Xia W (Xia Wei);  Zhai YF (Zhai Ya-feng);  Zhai, YF, China Agr Univ, Coll Biol Sci, Beijing 100193, Peoples R China. E-mail Address: hellogtt@semi.ac.cn;  zhaiyafeng@gmail.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu WJ (Wu Wen-jin);  Wang HW (Wang Hong-wu);  Chen SJ (Chen Shao-jiang);  Guo TT (Guo Ting-ting);  Wang SJ (Wang Shou-jue);  Su Q (Su Qian);  Sun M (Sun Ming);  An D (An Dong);  An, D, China Agr Univ, Coll Informat & Elect Engn, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wanna1106@163.com;  andong@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  邬文锦;  王红武;  陈绍江;  郭婷婷;  王守觉;  苏谦;  孙明;  安冬
Adobe PDF(237Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1328/277  |  提交时间：2011/08/16
无权访问的条目 期刊论文
作者:  郭婷婷;  王守觉;  王红武;  胡海晓;  安冬;  邬文锦;  夏维;  翟亚锋
Adobe PDF(1105Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1049/231  |  提交时间：2011/08/16
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu Y (Xu Ying);  Diao HW (Diao Hong-Wei);  Zhang SB (Zhang Shi-Bin);  Li XD (Li Xu-Dong);  Zeng XB (Zeng Xiang-Bo);  Wang WJ (Wang Wen-Jing);  Liao XB (Liao Xian-Bo);  Xu, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Surface Phys, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  许颖;  刁宏伟;  张世斌;  励旭东;  曾湘波;  王文静;  廖显伯
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Recent research results on deep level defects in semi-insulating InP - Application to improve material quality 会议论文
2006 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, Princeton, NJ, MAY 07-11, 2006
作者:  Zhao, YW (Zhao, Youwen);  Dong, ZY (Dong, Zhiyuan);  Dong, HW (Dong, Hongwei);  Sun, NF (Sun, Niefeng);  Sun, TN (Sun, Tongnian);  Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(376Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1467/450  |  提交时间：2010/03/29
Stimulated Current Spectroscopy  Current Transient Spectroscopy  Fe-doped Inp  Point-defects  Compensation  Temperature  Donors  Traps  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  肖宛昂;  胡红武;  邹立东
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao, YW;  Dong, HW;  Li, JM;  Ling, LY;  Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaoyw@red.semi.ac.cn
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磷化铟单晶片的抛光工艺 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  董宏伟;  赵有文;  杨子祥;  焦景华
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