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多能态离子注入法制备磁性半导体的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-02-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张富强;  陈诺夫
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘力锋;  陈诺夫;  尹志岗;  杨霏;  周剑平;  张富强
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  李宁;  张国强;  刘忠立;  范楷;  郑中山;  林青;  张正选;  林成鲁
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张国强;  刘忠立;  李宁;  范楷;  郑中山;  张恩霞;  易万兵;  陈猛;  王曦
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  郑中山;  刘忠立;  张国强;  李宁;  范楷;  张恩霞;  易万兵;  陈猛;  王曦
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Kang Qiang;  Zhao Lingjuan;  Zhang Jing;  Zhou Fan;  Wang Baojun;  Wang Lufeng;  Wang Wei
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张恩霞;  钱聪;  张正选;  王曦;  张国强;  李宁;  郑中山;  刘忠立
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  徐云;  郭良;  曹青;  宋国峰;  甘巧强;  杨国华;  李玉璋;  陈良惠
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张富强;  陈诺夫;  杨瑞霞;  魏怀鹏;  刘祥林;  刘志凯;  杨少延;  柴春林
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