SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
注氮工艺对SOI材料抗辐照性能的影响
张恩霞; 钱聪; 张正选; 王曦; 张国强; 李宁; 郑中山; 刘忠立
2005
Source Publication半导体学报
Volume26Issue:6Pages:1269-1272
Abstract分别采用一步和分步注入的工艺制备了氧氮共注形成SOI(SIMON)材料,并对退火后的材料进行了二次离子质谱(SIMS)分析,结果发现退火之后氮原子大多数聚集在SiO2/Si界面处.为了分析材料的抗辐照加固效果,分别在不同方法制作的SIMON材料上制作了nMOS场效应晶体管,并测试了晶体管辐射前后的转移特性.实验结果表明,注氮工艺对SOI材料的抗辐照性能有显著的影响.
metadata_83中国科学院上海微系统与信息技术研究所;中国科学院半导体研究所
Subject Area微电子学
Funding Organization国家杰出青年基金,上海市基础研究基金,国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2091752
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16959
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
张恩霞,钱聪,张正选,等. 注氮工艺对SOI材料抗辐照性能的影响[J]. 半导体学报,2005,26(6):1269-1272.
APA 张恩霞.,钱聪.,张正选.,王曦.,张国强.,...&刘忠立.(2005).注氮工艺对SOI材料抗辐照性能的影响.半导体学报,26(6),1269-1272.
MLA 张恩霞,et al."注氮工艺对SOI材料抗辐照性能的影响".半导体学报 26.6(2005):1269-1272.
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