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中国科学院半导体研究所机构知识库
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Detection of indium segregation effects in InGaAs/GaAs quantum wells using reflectance-difference spectrometry
会议论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 91, RIMINI, ITALY, SEP 24-28, 2001
作者:
Ye XL
;
Chen YH
;
Xu B
;
Wang ZG
;
Chen YH Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Reflectance-difference Spectroscopy
Indium Segregation
Ingaas/gaas Quantum Wells
Epitaxy-grown Ingaas/gaas
Surface Segregation
Interface
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang ZC
;
Yang SY
;
Zhang FQ
;
Li DB
;
Chen YH
;
Wang ZG
;
Zhang ZC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chen YH
;
Ye XL
;
Wang JZ
;
Wang ZG
;
Yang Z
;
Chen YH,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang YC
;
Wang ZG
;
Xu B
;
Liu FQ
;
Chen YH
;
Dowd P
;
Zhang YC,Nanyang Technol Univ,Sch Elect & Elect Engn,Photon Lab 1,Nanyang Ave,Singapore 639798,Singapore.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhao YW
;
Dong HW
;
Chen YH
;
Zhang YH
;
Jiao JH
;
Zhao JQ
;
Lin LY
;
Fung S
;
Zhao YW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Ye XL
;
Chen YH
;
Xu B
;
Wang ZG
;
Chen YH,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
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期刊论文
作者:
孙元平
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贾全杰
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