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砷化镓衬底上的多层变形缓冲层的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  高宏玲;  曾一平;  段瑞飞;  王宝强;  朱战平;  崔利杰
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, Y;  Han, CL;  Gao, JF;  Zhu, ZP;  Wang, BQ;  Zeng, YP;  Zhang, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhang_yang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lin, GQ;  Zeng, YP;  Wang, XL;  Liu, HX;  Lin, GQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: lingq@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li, J;  Wang, RZ;  Lan, W;  Zhang, XW;  Duan, ZQ;  Wang, B;  Yan, H;  Li, J, Beijing Univ Technol, Coll Mat Sci & Engn, Lab Thin Film Mat, Beijing 100124, Peoples R China. 电子邮箱地址: wrz@bjut.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gao, HL;  Zeng, YP;  Wang, BQ;  Zhu, ZP;  Wang, ZG;  Gao, HL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hlgao@semi.ac.cn
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Novel photonic crystal structure GaN-based light-emitting diodes - art. no. 68410J 会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:  Hu HY;  Lu L;  Du W;  Liu HW;  Kan Q;  Wang CX;  Xu XS;  Chen HD;  Hu, HY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100864, Peoples R China.
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Gan  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  肖雪芳;  杨国华;  归强;  王国宏;  马晓宇;  陈朝;  陈良惠
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  林郭强;  曾一平;  段瑞飞;  魏同波;  马平;  王军喜;  刘喆;  王晓亮;  李晋闽
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  林郭强;  曾一平;  王晓亮;  刘宏新
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  郭德博;  梁萌;  范曼宁;  刘志强;  王良臣;  王国宏
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