SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
HVPE气相外延法在c面蓝宝石上选区外延生长GaN及其表征
林郭强; 曾一平; 段瑞飞; 魏同波; 马平; 王军喜; 刘喆; 王晓亮; 李晋闽
2008
Source Publication半导体学报
Volume29Issue:3Pages:530-533
Abstract使用气相沉积SiO2和普通光刻以及湿法腐蚀方法,在c面蓝宝石上开出不同尺寸的正方形窗口,在窗口区域中露出衬底,然后使用氢化物气相外延(HVPE)方法选区外延GaN薄膜.采用光学显微镜、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)和喇曼谱测试(Raman shift)对薄膜进行分析.结果表明,在c面蓝宝石衬底上独立的正方形窗口区域中外延生长的,厚度约20μm的GaN薄膜,当窗口面积为100μm×100μm时,GaN表面无裂纹;而当窗口面积为300μm×300μm和500μm×500μm时,GaN表面有裂纹.随着窗口面积的减小,GaN双晶衍射摇摆曲线的(0002)峰的半高宽(FwHM)减小,表明晶体的质量更好,最小的半高宽为530″,从正方形窗口区的角上到边缘再到中心,GaN的面内压应力逐渐减小,分析认为这与GaN横向外延区(ELO区)与SiO2掩膜之间的相互作用,以及窗口区到ELO区的线位错的90°扭转有关.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3230275
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16119
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
林郭强,曾一平,段瑞飞,等. HVPE气相外延法在c面蓝宝石上选区外延生长GaN及其表征[J]. 半导体学报,2008,29(3):530-533.
APA 林郭强.,曾一平.,段瑞飞.,魏同波.,马平.,...&李晋闽.(2008).HVPE气相外延法在c面蓝宝石上选区外延生长GaN及其表征.半导体学报,29(3),530-533.
MLA 林郭强,et al."HVPE气相外延法在c面蓝宝石上选区外延生长GaN及其表征".半导体学报 29.3(2008):530-533.
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