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| 倏逝波耦合型单一载流子行波光电探测器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2009-12-30, 2010-08-12
发明人: 张云霄; 廖栽宜; 赵玲娟; 朱洪亮; 潘教青 ; 王 圩
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| 降低立方氮化硼薄膜应力的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-17, 2010-08-12
发明人: 范亚明; 张兴旺; 谭海仁; 陈诺夫
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| 在低温下为半导体样品施加连续可调单轴应力的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-23, 公开日期: 4007
发明人: 周振宇; 陈涌海
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| 半导体材料残余应力的测试装置及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈涌海; 赵玲慧; 曾一平; 李成基
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| 实现对称结构硅基二氧化硅应力光波导偏振不灵敏的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-01-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 安俊明; 李健; 郜定山; 夏君磊; 李建光; 王红杰; 胡雄伟
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| 一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214740A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 李志聪; 姚然; 王兵; 梁萌; 李鸿渐; 李盼盼; 李璟; 王国宏; 李晋闽
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| 一种生长高质量富In组分InGaN薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157637.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 郭严; 宋华平; 郑高林; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
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| 磷化镓铝应力补偿的砷化铟量子点太阳电池制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010217374.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 王科范; 杨晓光; 杨涛; 王占国
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| 利用激光划片解理氮化镓基激光器管芯的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910084158.0, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 季莲; 张书明; 刘宗顺; 杨辉
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| 在大失配衬底上生长表面无裂纹的GaN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010128376.2, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 魏萌; 王晓亮; 潘旭; 李建平; 刘宏新; 王翠梅; 肖红领
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