在低温下为半导体样品施加连续可调单轴应力的方法
周振宇; 陈涌海
2009-09-23
专利权人半导体研究所
公开日期4007
授权国家中国
专利类型发明
申请日期2008-03-19
语种中文
专利状态公开
申请号200810102204
专利代理人汤宝平
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/8964
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
周振宇,陈涌海. 在低温下为半导体样品施加连续可调单轴应力的方法[P]. 2009-09-23.
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