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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu JH;  Wang LJ;  Zhang SM;  Wang H;  Zhao DG;  Zhu JJ;  Liu ZS;  Jiang DS;  Yang H;  Zhang, SM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. smzhang@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(1530Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1627/524  |  提交时间:2011/07/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jahn U;  Brandt O;  Luna E;  Sun X;  Wang H;  Jiang DS;  Bian LF;  Yang;  H;  Jahn, U, Paul Drude Inst Festkorperelekt, Hausvogteipl 5-7, D-10117 Berlin, Germany. 电子邮箱地址: ujahn@pdi-berlin.de
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Majid A;  Ali A;  Zhu JJ;  Wang YT;  Liu W;  Lu GJ;  Liu WB;  Zhang LQ;  Liu ZS;  Zhao DG;  Zhang SM;  Jiang DS;  Yang H;  Ali, A, Quaid I Azam Univ, Dept Phys, Adv Mat Phys Lab, Islamabad, Pakistan. 电子邮箱地址: akbar@qau.edu.pk
Adobe PDF(370Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1228/322  |  提交时间:2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun Q;  Huang Y;  Wang H;  Chen J;  Jin RQ;  Zhang SM;  Yang H;  Jiang DS;  Jahn U;  Ploog KH;  Sun, Q, Chinese Acad Sci, State Key Lab Integrated Optoelect, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: qsun@red.semi.ac.cn
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Structural and optical properties of GaAsSb/GaAs heterostructure quantum wells 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 268 (3-4), Singapore, SINGAPORE, DEC 07-12, 2003
作者:  Jiang DS;  Bian LF;  Liang XG;  Chang K;  Sun BQ;  Johnson S;  Zhang YH;  Jiang DS CAS Inst Semicond SKLSM Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: dsjiang@red.semi.ac.cn
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Molecular Beam Epitaxy  Quantum Wells  Gaassb/gaas  Gaas  Lasers  Gain  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jiang DS;  Bian LF;  Liang XG;  Chang K;  Sun BQ;  Johnson S;  Zhang YH;  Jiang, DS, CAS, Inst Semicond, SKLSM, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dsjiang@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(357Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:992/303  |  提交时间:2010/03/09
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng XH;  Jiang DS;  Johnson S;  Zhang YH;  Zheng XH,Chinese Acad Sci,Inst Phys,POB 603,Beijing 100080,Peoples R China.
Adobe PDF(62Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1359/467  |  提交时间:2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li CY;  Sun BQ;  Jiang DS;  Wang JN;  Li CY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,NLSM,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(139Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:909/209  |  提交时间:2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun BQ;  Wang JN;  Ge WK;  Wang YQ;  Jiang DS;  Zhu HJ;  Wang HL;  Deng YM;  Feng SL;  Wang JN,Hong Kong Univ Sci & Technol,Dept Phys,Hong Kong,Peoples R China.
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Effect of carrier relaxation and emission on photoluminescence of InAs quantum dots 会议论文
PROCEEDINGS OF THE FIFTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON QUANTUM CONFINEMENT: NANOSTRUCTURES, 98 (19), BOSTON, MA, NOV 02-05, 1998
作者:  Zhu HJ;  Wang ZM;  Sun BQ;  Feng SL;  Jiang DS;  Zheng HZ;  Zhu HJ Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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