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| 借助保护层的取样光栅的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
发明人: 王 桓; 阚 强; 周 帆; 王宝君; 朱洪亮
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| 氮化镓基多波段探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
发明人: 刘文宝; 孙 苋; 赵德刚 ; 刘宗顺; 张书明; 朱建军; 杨 辉
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| 利用光辅助氧化湿法刻蚀Ⅲ族氮化物的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
发明人: 刘文宝; 孙 苋; 赵德刚; 刘宗顺; 张书明; 朱建军; 杨 辉
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| 用于半导体器件中的取样光栅的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2009-12-16, 2010-08-12
发明人: 王 桓; 王宝君; 朱洪亮
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| GaAs基InAs/GaSb超晶格近红外光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-11-11, 公开日期: 4012
发明人: 汤宝; 周志强; 郝瑞亭; 任正伟; 徐应强; 牛智川
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| 在锑化镓衬底上生长InAsxSb1-x薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-24, 公开日期: 3998
发明人: 高福宝; 陈诺夫; 吴金良; 刘 磊
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| 单光路量子效率测试系统 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-04-01, 公开日期: 3990
发明人: 刘 磊; 陈诺夫; 曾湘波; 张 汉; 吴金良; 高福宝
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| 行波电极电吸收调制器和模斑转换器集成器件的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-11-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 周敬涛; 王宝军; 朱洪亮
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| 砷化镓衬底上的多层变形缓冲层的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 高宏玲; 曾一平; 段瑞飞; 王宝强; 朱战平; 崔利杰
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| 一种对气体传感器或半导体器件性能进行测试的系统 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 王新华; 冯春; 王保柱; 马志勇; 王军喜; 胡国新; 肖红领; 冉军学; 王翠梅
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