SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
用于半导体器件中的取样光栅的制作方法
王 桓; 王宝君; 朱洪亮
2010-08-12
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2009-12-16 ; 2010-08-12
Country中国
Subtype发明
Abstract一种用于半导体器件的取样光栅的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1:在衬底上依次生长缓冲层、下波导层、多量子阱、上波导层,得到含有半导体波导结构的芯片;步骤2:在上波导层的上面,均匀地涂上一层光刻胶;步骤3:对涂有光刻胶的芯片进行全息曝光,使光刻胶上印制出条状的光栅轮廓;步骤4:将芯片置于取样周期光刻版之下进行二次曝光,二次曝光后对芯片上的光刻胶显影,使光刻胶形成有光栅轮廓的胶条;步骤5:对显影好的芯片,进行离子刻蚀,在上波导层上得到光栅;步骤6:用腐蚀液修整光栅形貌,完成取样光栅的制作。本发明具有成本低、适于大规模生产的优点。
Application Date2008-06-11
Language中文
Status实质审查的生效
Application NumberCN200810114793.4
Patent Agent汤保平:中科专利商标代理有限责任公司
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13458
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
王 桓,王宝君,朱洪亮. 用于半导体器件中的取样光栅的制作方法[P]. 2010-08-12.
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