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| 用于半导体器件中的取样光栅的制作方法 | |
| 王 桓; 王宝君; 朱洪亮 | |
| 2010-08-12 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2009-12-16 ; 2010-08-12 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种用于半导体器件的取样光栅的制作方法，其特征在于，包括如下步骤:步骤1:在衬底上依次生长缓冲层、下波导层、多量子阱、上波导层，得到含有半导体波导结构的芯片;步骤2:在上波导层的上面，均匀地涂上一层光刻胶;步骤3:对涂有光刻胶的芯片进行全息曝光，使光刻胶上印制出条状的光栅轮廓;步骤4:将芯片置于取样周期光刻版之下进行二次曝光，二次曝光后对芯片上的光刻胶显影，使光刻胶形成有光栅轮廓的胶条;步骤5:对显影好的芯片，进行离子刻蚀，在上波导层上得到光栅;步骤6:用腐蚀液修整光栅形貌，完成取样光栅的制作。本发明具有成本低、适于大规模生产的优点。 |
| Application Date | 2008-06-11 |
| Language | 中文 |
| Status | 实质审查的生效 |
| Application Number | CN200810114793.4 |
| Patent Agent | 汤保平:中科专利商标代理有限责任公司 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13458 |
| Collection | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 王 桓,王宝君,朱洪亮. 用于半导体器件中的取样光栅的制作方法[P]. 2010-08-12. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 3595.pdf（369KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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