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| Studies of 6H-SiC devices 会议论文
CURRENT APPLIED PHYSICS, 2 (5), SEOUL, SOUTH KOREA, DEC 05-09, 2001
作者: Wang SR; Liu ZL; Wang SR Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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Sic Schottky Pn Junction Diodes Mos Capacitor Junction Diodes |
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作者: Wang SR; Liu ZL; Wang SR,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zheng XH; Wang Q; Lin ZL; Li CG; Zhou ML; ( )
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Tan LW; Zan YD; Wang J; Wang QY; Yu YH; Wang SR; Liu ZL; Lin LY; Tan LW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Novel Semiconductor Mat Lab,Beijing 100083,Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王荣; 周宏余; 司戈丽; 姚淑德; 张新辉; 郭增良; 翟佐绪; 王勇刚; 朱升云
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 谭利文; 王俊; 王启元; 郁元桓; 刘忠立; 邓惠芳; 王建华; 林兰英
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作者: 刘相华; 陈猛; 刘忠立; 王曦
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作者: 李国华; 方再利; 丁琨; 韩和相; 曾美思; 王建农; 葛惟锟; 潘钟; 李联合; 吴荣汉
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 李永平; 田强; 牛智川 ; 杨锡震; 吴正龙; 王亚非
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