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Indium Compositional Homogeneity in In0.17Al0.83N Epilayers Grown by Metal Organic Chemical Vapor Deposition 期刊论文
APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2012, 卷号: 5, 期号: 10, 页码: 101002
Authors:  Wang JM (Wang, Jiaming);  Xu FJ (Xu, Fujun);  Huang CC (Huang, Chengcheng);  Xu ZY (Xu, Zhengyu);  Zhang X (Zhang, Xia);  Wang Y (Wang, Yan);  Ge WK (Ge, Weikun);  Wang XQ (Wang, Xinqiang);  Yang ZJ (Yang, Zhijian);  Shen B (Shen, Bo);  Li W (Li, Wei);  Wang WY (Wang, Weiying);  Jin P (Jin, Peng)
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具有外加磁场的深能级瞬态谱样品台装置及其测量方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  卢励吾;  张砚华;  葛惟昆
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探测半导体能带结构高阶临界点的新方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  谭平恒;  徐仲英;  罗向东;  葛惟昆
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Observation of electric current induced by optically injected spin current 期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2007, 卷号: 90, 期号: 24, 页码: Art.No.242115
Authors:  Cui XD (Cui Xiao-Dong);  Shen SQ (Shen Shun-Qing);  Li J (Li Jian);  Ji Y (Ji Yang);  Ge WK (Ge Weikun);  Zhang FC (Zhang Fu-Chun);  Shen, SQ, Univ Hong Kong, Dept Phys, Hong Kong, Hong Kong, Peoples R China. 电子邮箱地址: sshen@hkucc.hku.hk
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Quantum-wells  
自旋光电流与电流诱导的电子自旋极化——半导体自旋电子学的新进展 期刊论文
物理, 2007, 卷号: 36, 期号: 1, 页码: 7-10
Authors:  杨春雷;  王建农;  葛惟锟;  崔利杰;  曾一平
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具有外加磁场的深能级瞬态谱测量装置与测量方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  卢励吾;  张砚华;  葛惟昆
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ZnS中Te等电子中心的时间分辨光谱研究 期刊论文
物理学报, 2005, 卷号: 54, 期号: 5, 页码: 2272-2276
Authors:  杨旭东;  徐仲英;  罗向东;  方再历;  李国华;  苏荫强;  葛惟昆
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带有外加磁场的深能级测量样品架装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2004-10-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  卢励吾;  张砚华;  葛惟昆
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静压下ZnS∶Te中Te等电子陷阱的发光 期刊论文
红外与毫米波学报, 2004, 卷号: 23, 期号: 1, 页码: 38-42
Authors:  方再利;  苏付海;  马宝珊;  丁琨;  韩和相;  李国华;  苏萌强;  葛惟锟
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半导体材料电信号测试装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2003-07-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  张砚华;  卢励吾;  葛惟昆
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