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GaAs/Si/AlAs异质结的带阶和GaAS生长温度的影响 期刊论文
半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 168-172
Authors:  李永平;  澜清;  吴正龙;  周大勇;  孔云川;  牛智川;  田强;  杨锡震;  王亚非
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GaAs/Si/AlAs异质结不同生长温度Si夹层分布的CV实验研究 期刊论文
北京师范大学学报. 自然科学版, 2002, 卷号: 38, 期号: 4, 页码: 474-477
Authors:  李永平;  田强;  牛智川;  杨锡震;  吴正龙;  王亚非
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p~+-n~--n结的势垒分布 期刊论文
液晶与显示, 2001, 卷号: 16, 期号: 1, 页码: 48
Authors:  赵普琴;  杨锡震;  李桂英;  王亚非
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氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si的XPS研究 期刊论文
北京师范大学学报. 自然科学版, 2001, 卷号: 37, 期号: 2, 页码: 174
Authors:  李庚伟;  吴正龙;  杨锡震;  杨少延;  张建辉;  刘志凯
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EBIC测定GaPLPE样片的少子扩散长度 期刊论文
电子显微学报, 2000, 卷号: 19, 期号: 4, 页码: 581
Authors:  李永良;  杨锡震;  周燕;  李承基;  李蕴言
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高温热退火时异质结薄膜CeO_2/Si界面扩散-反应的机理研究 期刊论文
北京师范大学学报. 自然科学版, 1999, 卷号: 332, 期号: 0
Authors:  吴正龙;  杨锡震;  李强胜;  黄大定
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GaP∶NLPE片的纵向载流子浓度分布 期刊论文
稀有金属, 1999, 卷号: 23, 期号: 6, 页码: 72
Authors:  李桂英;  刘荣寰;  杨锡震;  王亚非;  桑丽华
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离子束外延β-FeSi_2/Si薄膜的电子能谱研究和表征 期刊论文
北京师范大学学报. 自然科学版, 1998, 卷号: 34, 期号: 2, 页码: 206
Authors:  吴正龙;  杨锡震;  秦复光
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InAs自组织生长量子点超晶格的电学性质 期刊论文
半导体学报, 1998, 卷号: 19, 期号: 6, 页码: 401
Authors:  陈枫;  封松林;  杨锡震;  王志明;  赵谦;  温亮生
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InAs/GaAs自组织量子电的DLTS谱 期刊论文
发光学报, 1997, 卷号: 18, 期号: 4, 页码: 357
Authors:  杨锡震;  陈枫;  封松林
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