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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研... [18]
作者
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期刊论文 [14]
会议论文 [4]
发表日期
2001 [18]
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英语 [18]
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共18条,第1-10条
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发表日期:2001
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Jiang CP
;
Huang ZM
;
Li ZF
;
Yu J
;
Guo SL
;
Lu W
;
Chu JH
;
Cui LJ
;
Zeng YP
;
Zhu ZP
;
Wang BQ
;
Jiang CP,Chinese Acad Sci,Shanghai Inst Tech Phys,Natl Lab Infrared Phys,Shanghai 200083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Cao X
;
Zeng YP
;
Kong MY
;
Pan L
;
Wang BQ
;
Zhu ZP
;
Cao X,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
Effects of annealing time and Si cap layer thickness on the Si/SiGe/Si heterostructures thermal stability
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Gao F
;
Lin YX
;
Huang DD
;
Li JP
;
Sun DZ
;
Kong MY
;
Zeng YP
;
Li JM
;
Lin LY
;
Gao F Chinese Acad Sci Ctr Mat Sci Inst Semicond Beijing 10083 Peoples R China.
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浏览/下载:1848/419
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提交时间:2010/11/15
Annealing
Molecular Beam Epitaxy
Germanium Silicon Alloys
Semiconducting Materials
Strain Relaxation
High-quality GaN grown by gas-source MBE
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Wang JX
;
Sun DZ
;
Wang XL
;
Li JM
;
Zeng YP
;
Hou X
;
Lin LY
;
Wang JX Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1830/464
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提交时间:2010/11/15
Characterization
Molecular Beam Epitaxy
Gallium Compounds
Nitrides
Piezoelectric Materials
Semiconducting Gallium Compounds
Molecular-beam Epitaxy
Heterostructures
Sapphire
Diodes
High-quality metamorphic HEMT grown on GaAs substrates by MBE
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Zeng YP
;
Cao X
;
Cui LJ
;
Kong MY
;
Pan L
;
Wang BQ
;
Zhu ZP
;
Cao X Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Molecular Beam Epitaxy
High Electron Mobility Transistors
Density
Using photoluminescence as optimization criterion to achieve high-quality InGaAs/AlGaAs pHEMT structure
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Cao X
;
Zeng YP
;
Cui LJ
;
Kong MY
;
Pan LA
;
Wang BQ
;
Zhu ZP
;
Cao X Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Molecular Beam Epitaxy
Mobility
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Cao X
;
Zeng YP
;
Kong MY
;
Pan LA
;
Wang BQ
;
Zhu ZP
;
Wang XG
;
Chang Y
;
Chu JH
;
Cao X,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Jiang CP
;
Huang ZM
;
Guo SL
;
Chu JH
;
Cui LJ
;
Zeng YP
;
Zhu ZP
;
Wang BQ
;
Jiang CP,Chinese Acad Sci,Shanghai Inst Tech Phys,Natl Lab Infrared Phys,Shanghai 200083,Peoples R China.
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浏览/下载:1144/350
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Gao F
;
Huang CJ
;
Huang DD
;
Li JP
;
Kong MY
;
Zeng YP
;
Li JM
;
Lin LY
;
Gao F,Shaanxi Normal Univ,Dept Phys,Xian 710062,Peoples R China.
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浏览/下载:1039/241
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhuang QD
;
Yoon SF
;
Li HX
;
Li JM
;
Zeng YP
;
Kong MY
;
Lin LY
;
Zhuang QD,Nanyang Technol Univ,Sch Elect & Elect Engn BLK S1,Nanyang Ave,Singapore 639798,Singapore.
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提交时间:2010/08/12