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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 陈弘毅; 陈宇; 孙玲; 郭睿倩; 潘庆; 何杰
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 闫果果 ; 孙国胜; 吴海雷; 王雷; 赵万顺; 刘兴昉; 董林; 郑柳; 曾一平
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| 电学测试的汞探针装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-02-10, 2010-08-12
发明人: 纪 刚; 孙国胜; 宁 瑾; 刘兴昉; 赵永梅; 王 雷; 赵万顺; 曾一平; 李晋闽
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| 一种高温碳化硅双室热壁式外延生长装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2009-12-02, 2010-08-12
发明人: 孙国胜; 王 雷; 赵万顺; 曾一平; 叶志仙; 刘兴昉
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 陈宇; 孙玲; 徐琳; 郭睿倩; 潘庆; 何杰
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| 氧化硅上制备低阻碳化硅的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996
发明人: 赵永梅; 孙国胜; 宁 瑾; 王 亮; 刘兴昉; 赵万顺; 王 雷; 李晋闽; 曾一平
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 郭杰; 彭震宇; 鲁正雄; 孙维国; 郝瑞亭; 周志强; 许应强; 牛智川
Adobe PDF(476Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1696/492 | 提交时间：2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 郭杰; 孙维国; 彭震宇; 周志强; 徐应强; 牛智川
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| 基于氮化铝缓冲层的硅基3C-碳化硅异质外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 赵永梅; 孙国胜; 刘兴昉; 李家业; 王雷; 赵万顺; 李晋闽; 曾一平
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| 用于MEMS器件的大面积3C-SiC薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘兴昉; 孙国胜; 李晋闽; 赵永梅; 王雷; 赵万顺; 李家业; 曾一平
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