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| 砷化镓基1.5微米量子阱结构及其外延生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 牛智川; 倪海桥; 韩勤; 张石勇; 吴东海; 赵欢; 杨晓红; 彭红玲; 周志强; 熊永华; 吴荣汉 Adobe PDF(588Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1515/248  |  提交时间:2009/06/11 |
| 大计量离子注入法制备磁体/半导体混杂结构的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-03-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 宋书林; 陈诺夫; 周剑平; 杨少延; 刘志凯; 柴春林 Adobe PDF(322Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1447/189  |  提交时间:2009/06/11 |
| 磁性p-n结薄膜材料及制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2003-10-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 周剑平; 陈诺夫; 张富强; 刘志凯; 杨少延; 柴春林 Adobe PDF(392Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1345/161  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种可用于硅基集成的HEMT器件及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-19 发明人: 米俊萍; 周旭亮; 于红艳; 李梦珂; 李士颜; 潘教青 Adobe PDF(785Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:961/72  |  提交时间:2014/12/25 |
| 一种硅基半绝缘III-V族材料的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-26 发明人: 周旭亮; 于红艳; 李士颜; 潘教青; 王圩 Adobe PDF(325Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:760/85  |  提交时间:2014/12/25 |
| 在Si基上制备InP基HEMT的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-05 发明人: 李士颜; 周旭亮; 于鸿艳; 李梦珂; 米俊萍; 潘教青 Adobe PDF(488Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:836/93  |  提交时间:2014/11/17 |
| 基于ART结构的硅基沟槽内生长GaAs材料的NMOS器件 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-26 发明人: 李梦珂; 周旭亮; 于红艳; 李士颜; 米俊萍; 潘教青 Adobe PDF(431Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:821/84  |  提交时间:2014/12/25 |
| 硅基高迁移率沟道CMOS的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-08-21 发明人: 周旭亮; 于红艳; 李士颜; 潘教青; 王圩 Adobe PDF(532Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:694/62  |  提交时间:2014/11/17 |
| 硅基高迁移率Ⅲ-V/Ge沟道的CMOS制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-11-13 发明人: 周旭亮; 于红艳; 李士颜; 潘教青; 王圩 Adobe PDF(611Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:655/58  |  提交时间:2014/12/25 |
| ART结构沟槽内生长GaAs材料HEMT器件的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-22 发明人: 李梦珂; 周旭亮; 于红艳; 李士颜; 米俊萍; 潘教青 Adobe PDF(491Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:939/83  |  提交时间:2014/11/24 |