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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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期刊论文
作者:
唐龙娟
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郑新和
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张东炎
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王辉
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杨辉
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提交时间:2011/08/16
高频大功率GaN基HEMT结构材料及器件研究
学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:
唐健
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提交时间:2009/04/13
氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王晓亮
;
马志勇
;
冉学军
;
肖红领
;
王翠梅
;
胡国新
;
唐健
;
罗卫军
Adobe PDF(986Kb)
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
廖梅勇
;
张键辉
;
秦复光
;
刘志凯
;
杨少延
;
王占国
;
李述汤
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
赵玉成
;
李唐军
;
简水生
;
祝亚琴
;
张静媛
;
韩勤
;
王圩
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提交时间:2010/11/23
超晶格电子态理论
成果
1990
主要完成人:
夏建白
;
黄昆
;
朱邦芬
;
汤惠
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浏览/下载:1431/0
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提交时间:2010/04/13
超晶格
无权访问的条目
期刊论文
作者:
江德生
;
汤寅生
;
夏建白
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浏览/下载:820/208
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提交时间:2010/11/23
制备增强型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810226288.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
王晓亮
;
张明兰
;
肖红领
;
王翠梅
;
唐健
;
冯春
;
姜丽娟
Adobe PDF(404Kb)
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提交时间:2011/08/31