已选(0)清除
条数/页: 排序方式: |
| 氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 马志勇; 冉学军; 肖红领; 王翠梅; 胡国新; 唐健; 罗卫军 Adobe PDF(986Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1509/189  |  提交时间:2009/06/11 |
| 含高掺杂隧道结的垂直腔面发射激光器 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王青; 何国荣; 渠红伟; 韦欣; 宋国峰; 陈良惠 Adobe PDF(603Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1467/222  |  提交时间:2009/06/11 |
| 氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 马志勇; 王晓亮; 冉军学; 胡国新; 肖红领; 王翠梅; 罗卫军 Adobe PDF(1062Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1486/181  |  提交时间:2009/06/11 |
| 宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 马志勇; 胡国新; 肖红领; 冉军学; 王翠梅; 罗卫军 Adobe PDF(1354Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1409/172  |  提交时间:2009/06/11 |
| 铝铟磷或铝镓铟磷材料大功率半导体激光器及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 林涛; 江李; 陈芳; 刘素平; 潭满清; 王国宏; 韦欣; 马骁宇 Adobe PDF(476Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1303/173  |  提交时间:2009/06/11 |
| 低生长温度下提高化合物半导体中n型掺杂浓度的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-11-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 江李; 林涛; 韦欣; 王国宏; 马骁宇 Adobe PDF(256Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1008/140  |  提交时间:2009/06/11 |
| 带有锥形增益区的脊型波导高功率半导体激光器结构 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-10-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 张洪波; 韦欣; 朱晓鹏; 王国宏; 马骁宇 Adobe PDF(475Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1202/189  |  提交时间:2009/06/11 |
| 适用于氮化物LED外延生长的纳米级图形衬底的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010263069.5, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 孙莉莉; 闫建昌; 王军喜; 刘乃鑫; 魏同波; 魏学成; 马平; 刘喆; 曾一平; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(255Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1793/298  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种增强LED出光效率的粗化方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010263076.5, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 孙莉莉; 闫建昌; 王军喜; 刘乃鑫; 魏同波; 魏学成; 马平; 刘喆; 曾一平; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(279Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1916/300  |  提交时间:2011/08/31 |
| 金属催化脱氢提高镁掺杂氮化物激活效率的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010514077.2, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 魏同波; 王军喜; 路红喜; 刘乃鑫; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(304Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1642/258  |  提交时间:2011/08/31 |