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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: X.F. Liu; G.G. Yan; L. Sang; Y.X. Niu; Y.W. He; Z.W. Shen; Z.X. Wen; J. Chen; W.S. Zhao; L. Wang; M. Guan; F. Zhang; G.S. Sun; Y.P. Zeng
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: G.G. Yan; Y.W. He; Z.W. Shen; Y.X. Cui; J.T. Li; W.S. Zhao; L. Wang; X.F. Liu; F. Zhang; G.S. Sun; Y.P. Zeng
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Y M Wang ; J L Yu ; X L Zeng ; Y H Chen ; Y Liu ; S Y Cheng ; Y F Lai ; C M Yin ; K He 7 ; Q K Xue
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: X.F. Liu ; G.G. Yan ; Z.W. Shen ; Z.X. Wen ; J. Chen ; Y.W. He ; W.S. Zhao ; L. Wang ; M. Guan ; F. Zhang ; G.S. Sun ; Y.P. Zeng
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Duan, JX; Tang, N; He, X; Shen, B; Yan, Y; Zhang, S; Qin, XD; Wang, XQ; Yang, XL; Xu, FJ; Chen, YH; Ge, WK
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Fan S, Qin Z, He C, Hou M, Wang X, Shen B, Li W, Wang W, Mao D, Jin P, Yan J, Dong P.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 屈盛; 张兴旺 ; 毛和璜; 余银祥; 韩增华; 汤叶华; 周春兰; 王文静
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| 基于GaN基异质结构的二极管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-02
发明人: 康贺; 王晓亮; 肖红领; 王翠梅; 冯春; 姜丽娟; 殷海波; 崔磊
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| 一种H2微刻蚀进行碳化硅离子激活的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 刘胜北; 何志; 刘斌; 刘兴昉; 杨香; 樊中朝; 王晓峰; 王晓东; 赵永梅; 杨富华; 孙国胜; 曾一平
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| 一种碳化硅欧姆接触电极及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29
发明人: 刘胜北; 何志; 刘斌; 杨香; 刘兴昉; 张峰; 王雷; 田丽欣; 刘敏; 申占伟; 赵万顺; 樊中朝; 王晓峰; 王晓东; 赵永梅; 杨富华; 孙国胜; 曾一平
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