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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  X.F. Liu;   G.G. Yan;   L. Sang;   Y.X. Niu;   Y.W. He;   Z.W. Shen;   Z.X. Wen;   J. Chen;   W.S. Zhao;   L. Wang;   M. Guan;   F. Zhang;   G.S. Sun;   Y.P. Zeng
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  X. Rong;  X. Q. Wang;  G. Chen;  X. T. Zheng;  P. Wang;  F. J. Xu;  Z. X. Qin;  N. Tang;  Y. H. Chen;  L. W. Sang;  M. Sumiya;  W. K. Ge;  B. Shen
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ZnO 材料 MOCVD 生长及物性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2013
Authors:  桑玲
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  G. Chen, Z. L. Li, X. Q. Wang, C. C. Huang, X. Rong, L. W. Sang, F. J. Xu, N. Tang, Z. X. Qin, M. Sumiya, Y. H. Chen, W. K. Ge, B. Shen
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在非极性蓝宝石衬底上生长水平排列氧化锌纳米线的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102191540A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
Inventors:  桑玲;  王俊;  魏鸿源;  焦春美;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
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一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-26
Inventors:  王建霞;  李志伟;  赵桂娟;  桑玲;  刘长波;  魏鸿源;  焦春美;  杨少延;  刘祥林;  朱勤生;  王占国
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一种生长富In组分非极性A面InGaN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12
Inventors:  赵桂娟;  李志伟;  桑玲;  刘贵鹏;  刘长波;  谷承艳;  魏鸿源;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
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利用InN纳米棒作为形核层生长单晶GaN纳米管的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12
Inventors:  刘长波;  赵桂娟;  桑玲;  王建霞;  魏鸿源;  焦春美;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
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制备非极性A面GaN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-01-30
Inventors:  刘建明;  桑玲;  赵桂娟;  刘长波;  王建霞;  魏鸿源;  焦春美;  刘祥林;  杨少延;  王占国
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制备非极性A面GaN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12
Inventors:  赵桂娟;  李志伟;  桑玲;  魏鸿源;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
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