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| 高温原位减薄硅基底的装置和方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 刘祥林; 杨少延; 焦春美![](/image/person.jpg)
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| 用于氮化物外延生长的图形蓝宝石衬底的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 闫发旺; 高海永; 张扬; 李晋闽; 曾一平; 王国宏; 张会肖
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| 高晶体质量氮化物外延生长所用图形衬底的制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 张扬; 闫发旺; 高海永; 曾一平; 王国宏; 张会肖; 李晋闽
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| 单结铟镓氮太阳能电池结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 肖红领; 杨翠柏; 胡国新; 冉学军; 王翠梅; 张小宾; 李建平; 李晋闽
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| 生长氮化铟单晶薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 肖红领; 胡国新; 杨翠柏; 冉学军; 王翠梅; 张小宾; 李建平; 李晋闽
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| 一种生长氧化锌薄膜的装置及方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 刘祥林; 赵凤瑷; 焦春美 ; 董向芸; 张晓沛; 范海波; 魏宏源; 张攀峰; 王占国
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| 一种生长二氧化硅薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓东; 季安; 邢波; 杨富华
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| 铟镓砷/铟铝砷耦合量子点红外探测器及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨晓杰; 马文全 ; 种明; 苏艳梅; 陈良惠
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| 基于TM模激射的圆柱形结构的微盘激光器 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨跃德 ; 黄永箴; 罗贤树; 陈沁
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| 一种具有侧栅结构的硅基单电子记忆存储器及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 韩伟华 ; 杨香 ; 吴南健
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