一种生长二氧化硅薄膜的方法
王晓东; 季安; 邢波; 杨富华
2008-07-02
公开日期2009-06-04 ; 2009-06-11
专利类型发明
申请日期2006-12-31
语种中文
申请号200610171664
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/4117
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
王晓东,季安,邢波,等. 一种生长二氧化硅薄膜的方法[P]. 2008-07-02.
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