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一种高温碳化硅半导体材料制造装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2001-12-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李晋闽;  孙国胜;  朱世荣;  曾一平;  孙殿照;  王雷
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一种氮化物半导体器件 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2001-10-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陆大成;  刘祥林;  袁海荣;  王晓晖
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一种制备半导体衬底的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2001-04-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨沁清;  李成;  欧海燕;  王红杰;  王启明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  江德生;  李国华;  韩和相;  贾锐;  孙宝权;  王若桢;  孙萍
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  梁恩主;  郑婉华;  冯军;  李远境;  李卉;  王志功;  陈良惠
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  梁恩主;  冯军;  郑婉华;  王志功;  陈良惠
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  李成;  杨沁青;  王红杰;  王启明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  韩伟华;  余金中;  王启明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘宝利;  王炳?;  徐仲英
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  郑新和;  渠波;  王玉田;  杨辉;  梁骏吾
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