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二次退火制备I I I-V族半导体量子点 期刊论文
人工晶体学报, 2010, 卷号: 39, 期号: 3, 页码: 747-750
Authors:  肖虎;  孟宪权;  朱振华;  金鹏;  刘峰奇;  王占国
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MOCVD生长温度对氧化锌薄膜结构及发光性能的影响 期刊论文
人工晶体学报, 2010, 卷号: 39, 期号: 1, 页码: 34-38,43
Authors:  王振华;  杨安丽;  刘祥林;  魏鸿源;  焦春美;  朱勤生;  杨少延;  王占国
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缓冲层厚度对MOCVD法生长GaN外延薄膜性能的影响 期刊论文
人工晶体学报, 2005, 卷号: 34, 期号: 3, 页码: 466-470
Authors:  吴洁君;  韩修训;  李杰民;  黎大兵;  魏宏远;  康亭亭;  王晓晖;  刘祥林;  王占国
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AlInGaN合金的发光机制研究 期刊论文
人工晶体学报, 2003, 卷号: 32, 期号: 6, 页码: 574-578
Authors:  董逊;  黄劲松;  黎大兵;  刘祥林;  徐仲英;  王占国
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R面、C面蓝宝石上生长的InGaN多层量子点的发光性质研究 期刊论文
人工晶体学报, 2002, 卷号: 31, 期号: 5, 页码: 451-455
Authors:  李昱峰;  陈振;  韩培德;  王占国
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半导体纳米结构的可控生长 期刊论文
人工晶体学报, 2002, 卷号: 31, 期号: 3, 页码: 208-217
Authors:  王占国
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