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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Deng HX (Deng Hui-Xiong);  Li JB (Li Jingbo);  Li SS (Li Shu-Shen);  Peng HW (Peng Haowei);  Xia JB (Xia Jian-Bai);  Wang LW (Wang Lin-Wang);  Wei SH (Wei Su-Huai);  Deng, HX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. jbli@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jin LA;  Jiang DS;  Zhang ZM;  Liu ZS;  Zeng C;  Zhao DG;  Zhu JJ;  Wang H;  Duan LH;  Yang H;  Jin, LA, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. jilian@red.semi.ac.cn
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Recent research results on deep level defects in semi-insulating InP - Application to improve material quality 会议论文
2006 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, Princeton, NJ, MAY 07-11, 2006
作者:  Zhao, YW (Zhao, Youwen);  Dong, ZY (Dong, Zhiyuan);  Dong, HW (Dong, Hongwei);  Sun, NF (Sun, Niefeng);  Sun, TN (Sun, Tongnian);  Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Stimulated Current Spectroscopy  Current Transient Spectroscopy  Fe-doped Inp  Point-defects  Compensation  Temperature  Donors  Traps  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao YW (Zhao Y. W.);  Dong ZY (Dong Z. Y.);  Deng AH (Deng A. H.);  Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: zhaoyw@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Song SF;  Chen WD;  Xu ZJ;  Xu XR;  Song, SF, Beijing Jiaotong Univ, Inst Optoelect Technol, Beijing 100044, Peoples R China. E-mail: sfsong@center.njtu.edu.cn
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Annealing ambient controlled deep defect formation in InP 会议论文
EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL-APPLIED PHYSICS, 27 (1-3), Batz sur Mer, FRANCE, SEP 29-OCT 02, 2003
作者:  Zhao YW;  Dong ZY;  Duan ML;  Sun WR;  Zeng YP;  Sun NF;  Sun TN;  Zhao YW Chinese Acad Sci Inst Semicond Ctr Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaoyw@red.semi.ac.nc
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Fe-doped Inp  Semiinsulating Inp  Point-defects  Pressure  Wafers  Traps  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang GQ;  Sun P;  Zou Q;  Mei X;  Ruda HE;  Gu Q;  Yu XF;  Ren DY;  Yan RL;  Zhang GQ,Univ Toronto,Ctr Adv Nanotechnol,170 Coll St,Toronto,ON M5S 3E4,Canada.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Dong HW;  Zhao YW;  Zhang YH;  Jiao JH;  Zhao JQ;  Lin LY;  Dong HW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Fang ZL;  Li GH;  Han HX;  Ding K;  Chen Y;  Peng CL;  Yuan SX;  Fang ZL,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  ZHU QS;  HIRAMATSU K;  SAWAKI N;  AKASAKI I;  LIU XN;  ZHU QS ACAD SINICAINST SEMICONDBEIJING 100083PEOPLES R CHINA
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