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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  Mei, FH;  Zhang, S;  Tang, N;  Duan, JX;  Xu, FJ;  Chen, YH;  Ge, WK;  Shen, B
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  Yin CM;  Tang N;  Zhang S;  Duan JX;  Xu FJ;  Song J;  Mei FH;  Wang XQ;  Shen B;  Chen YH;  Yu JL;  Ma H;  Yin, CM, Peking Univ, Sch Phys, State Key Lab Artificial Microstruct & Mesoscop, Beijing 100871, Peoples R China. ntang@pku.edu.cn;  bshen@pku.edu.cn
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适用于激光共聚焦测量装置的光学窗口片 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
Inventors:  杨晋玲;  周美强;  周 威;  唐龙娟;  朱银芳;  杨富华
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适用于激光共聚焦测量装置的光学窗口片 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN200920106986.5, 公开日期: 2011-08-31
Inventors:  杨晋玲;  周美强;  周 威;  唐龙娟;  朱银芳;  杨富华
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微机电系统机械组元可靠性评估的测试装置及方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910078562.7, 公开日期: 2011-08-31
Inventors:  杨晋玲;  周威;  周美强;  朱银芳;  杨富华
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基于谐振原理工作的MEMS滤波器模块 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010534603.1, 公开日期: 2011-08-31
Inventors:  宁瑾;  李永梅;  韩国威;  杨富华
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基于差分方法的MEMS器件信号检测电路 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010564525.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
Inventors:  韩国威;  宁瑾;  孙国胜;  赵永梅;  杨富华
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沟道型碳化硅肖特基二极管及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-10-10
Inventors:  何志;  张峰;  樊中朝;  赵咏梅;  孙国胜;  季安;  杨富华
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一种H2微刻蚀进行碳化硅离子激活的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
Inventors:  刘胜北;  何志;  刘斌;  刘兴昉;  杨香;  樊中朝;  王晓峰;  王晓东;  赵永梅;  杨富华;  孙国胜;  曾一平
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一种制备图形化多孔硅结构的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-19
Inventors:  赵永梅;  杨香;  季安;  张明亮;  韩国威;  宁瑾;  王晓东;  杨富华
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