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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研... [18]
Authors
王玉田 [3]
杨少延 [2]
叶小玲 [1]
Document Type
Journal a... [13]
成果 [3]
Patent [2]
Date Issued
2002 [2]
2001 [2]
2000 [2]
1999 [2]
1998 [2]
1997 [2]
More...
Language
中文 [18]
Source Publication
半导体学报 [7]
固体电子学研究与进展 [2]
稀有金属 [2]
中国科学. A辑, ... [1]
功能材料与器件学报 [1]
Funding Project
Indexed By
CSCD [13]
Funding Organization
国家自然科学基金 [3]
国家973计划,国家... [1]
国家攀登计划,国家9... [1]
国家重点基础研究专项... [1]
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磁性半导体/半导体异质液相外延生长方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-05-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:
陈诺夫
;
杨君玲
;
何宏家
;
钟兴儒
;
吴金良
;
林兰英
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Submit date:2009/06/11
(Ga, Mn, As)/GaAs的发光谱
期刊论文
半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 1, 页码: 26-29
Authors:
杨君玲
;
陈诺夫
;
叶小玲
;
何宏家
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Submit date:2010/11/23
离子束外延生长(Ga,Mn,As)化合物
期刊论文
稀有金属, 2001, 卷号: 25, 期号: 4, 页码: 289
Authors:
杨君玲
;
陈诺夫
;
刘志凯
;
杨少延
;
柴春林
;
廖梅勇
;
何宏家
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Submit date:2010/11/23
离子束外延生长半导体性锰硅化合物
期刊论文
半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 11, 页码: 1429
Authors:
杨君玲
;
陈诺夫
;
刘志凯
;
杨少延
;
柴春林
;
廖梅勇
;
何宏家
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Submit date:2010/11/23
非破坏性定量检测砷化镓单晶化学配比的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2000-07-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:
陈诺夫
;
林兰英
;
王玉田
;
何宏家
;
钟兴儒
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Submit date:2009/06/11
半绝缘砷化镓Hall测量中的若干问题
期刊论文
功能材料与器件学报, 2000, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 325
Authors:
李成基
;
李韫言
;
王万年
;
何宏家
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Submit date:2010/11/23
GaAs化学机械抛光引入亚表面损伤层的分析
期刊论文
固体电子学研究与进展, 1999, 卷号: 19, 期号: 1, 页码: 111
Authors:
郑红军
;
卜俊鹏
;
何宏家
;
吴让元
;
曹福年
;
白玉珂
;
惠峰
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Submit date:2010/11/23
砷化镓晶片表面损伤层分析
期刊论文
稀有金属, 1999, 卷号: 23, 期号: 4, 页码: 241
Authors:
郑红军
;
卜俊鹏
;
曹福年
;
白玉柯
;
吴让元
;
惠峰
;
何宏家
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Submit date:2010/11/23
X射线回摆曲线定量检测SI-GaAs势光晶片的亚表面损伤层厚度
期刊论文
半导体学报, 1998, 卷号: 19, 期号: 8, 页码: 635
Authors:
曹福年
;
卜俊鹏
;
吴让元
;
郑红军
;
惠峰
;
白玉珂
;
刘明焦
;
何宏家
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Submit date:2010/11/23
半绝缘GaAs单晶化学配比的X射线双晶衍射Bond方法测量
期刊论文
半导体学报, 1998, 卷号: 19, 期号: 4, 页码: 267
Authors:
王玉田
;
陈诺夫
;
何宏家
;
林兰英
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Submit date:2010/11/23