SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
GaAs、AlAs、DBR反应离子刻蚀速率的研究
刘文楷; 林世鸣; 武术; 朱家廉; 高俊华; 渠波; 陆建祖; 廖奇为; 邓晖; 陈弘达
2001
Source Publication半导体学报
Volume22Issue:9Pages:1222
Abstract采用BCl_3和Ar作为刻蚀气体对GaAs、AlAs、DBR反应离子刻蚀的速率进行了研究,通过控制反应的压强、功率、气体流量和气体组分达到对刻蚀速率的控制。实验结果表明
metadata_83中科院半导体所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:533110
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18629
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
刘文楷,林世鸣,武术,等. GaAs、AlAs、DBR反应离子刻蚀速率的研究[J]. 半导体学报,2001,22(9):1222.
APA 刘文楷.,林世鸣.,武术.,朱家廉.,高俊华.,...&陈弘达.(2001).GaAs、AlAs、DBR反应离子刻蚀速率的研究.半导体学报,22(9),1222.
MLA 刘文楷,et al."GaAs、AlAs、DBR反应离子刻蚀速率的研究".半导体学报 22.9(2001):1222.
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